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    田光善:北京大学物理系教授、博士生导师
    作者:田氏网   访问量:5983    添加时间:2011-2-16 21:36:14
     

        田光善  博士,1956年6月24日生。现任北京大学物理系教授,凝聚态理论物理专业博士生导师。
      1977年恢复考试制度后,通过全国高校入学考试,进入北京大学物理系77级学习。1980年参加并通过李政道先生组织的CUSPEA考试,于1981年秋季赴美国普林斯顿大学(PrincetonUniversity)物理系学习。1986年6月获数学物理专业哲学博士。同年9月赴美国德克萨斯州立大学奥斯汀分校(University ofTexasatAustin)数学系从事博士后研究。1989年返国后,在北京大学物理系从事第二期博士后工作。1991年提升为副教授。1995年提升为正教授。1998年任博士生导师。
      1996年10月至1997年8月,由国泰基金(SwireVisitingFellowship)资助,赴英国牛津大学(OxfordUniversity)理论物理系工作访问十个月;1998年1月至5月,由CroucherFellowship资助,赴香港浸会大学(HongKongBaptistUniversity)物理系工作访问五个月;2000年1月至3月,由英国有关基金资助,赴英国剑桥大学牛顿学院(IsaacNewtonInstitute, Cambridge University)参加“强关联电子体系讨论班”。    
      近十年来,一直在从事有关强关联电子体系的一些定性结果方面的工作。并在以下四个方面做出了具有自己特色的工作:引入了一个精确估计Nagaoka哈密顿量的本征谱的下界的新方法,从而将著名的Nagaoka铁磁态的研究从只有一个空穴的情况推广到了无穷多个空穴的情况;基于Lieb教授引入的“自旋反射正性”技术,首先建立了一个研究强关联电子体系中电子关联函数的新方法。作为对Mermin-Wagner定理的一个补充,建立了一个温度为零时某类长程有序的不存在的充分条件,并进一步将此结果扩充为一个两类长程有序相共存的充分条件。在电子个数为奇数的情况下,推广了“自旋反射正性”方法,从而建立了强关联电子体系中电荷能隙与自旋能隙之间的一个普适关系。[1]
      这些工作引起了国内外同行的极大兴趣。其中一些工作被国外同行在他们发表于具有影响力的综述性刊物,如《现代物理评论(Review of Modern Physics)》,上的综述文章中加以专题介绍。
      五年来的代表性工作
      G. S. Tian and T. H. Lin, "Quasi-one-dimensional OrganicUnsaturatedFerromagnetism: Some Rigorous Results'', Phys. Rev. B 53,8196 (1996).
      G. S. Tian, "A Sufficient Condition for Two Long-rangeOrdersCoexisting in a Lattice Many-body System'', J. Phys. A: Math.Gen. 30,841 (1997).
      G. S. Tian, "Ferrimagnetism in a One-dimensional Heisenberg Model'', Phys. Rev. B 56, 5355 (1997).
      G.S. Tian, "The Binding Energy and the Charged Gaps in theNegative-$U$Hubbard Model: Some RigorousResults'', J. Phys. A: Math.Gen. 30, 5329(1997).
      G. S. Tian, "Charged and Spin-excitation Gaps in Half-filledStronglyCorrelated Electron Systems: A Rigorous Result'', Phys. Rev. B58, 7612(1998).
      G. S. Tian and L. H. Tang, "Parity Effect in a Small SuperconductingGrain: A Rigorous Result'', Phys. Rev. B 58, 12333 (1998).
      G.S. Tian and L. H. Tang, "General result on charged andspin-excitationgaps in strongly correlated electron systems at halffilling'', Phys.Rev. B 60, 11336 (1999).

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